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三星即将推出下一代QLC NAND V9方案 每平方毫米容量达28.5Gb – 蓝点网

时间:2026-04-14 17:48:48 来源:网络整理 编辑:综合

核心提示

尽管目前 QLC 闪存因为寿命和速度问题不太讨喜,不过三星此前已经推出基于 QLC 的固态硬盘,而且三星认为 QLC 是个提高容量的不错的解决方案。为此三星正在准备推出该公司的下一代 QLC NAND

尽管目前 QLC 闪存因为寿命和速度问题不太讨喜,星即不过三星此前已经推出基于 QLC 的将推固态硬盘,而且三星认为 QLC 是出下个提高容量的不错的解决方案。

为此三星正在准备推出该公司的代Q达G点网下一代 QLC NAND V9 解决方案,堆叠层数为 280 层,平方其容量密度达到每平方毫米 28.5Gb,毫米远超竞争对手。容量

三星即将推出下一代QLC NAND V9方案 每平方毫米容量达28.5Gb

目前业界最高密度的星即闪存是长江存储的 232 层 QLC 闪存,每平方毫米容量为 20.62Gb,将推不过长江存储的出下 232 层 QLC 闪存也还没有正式推出。

速度方面,代Q达G点网报道称 QLC NAND V9 的平方最大传输速度为 3.2Gbps (每个芯片),这比三星之前的毫米版本 2.4Gbps 要快不少,所以对于 M.2 SSD 来说速度不会太差。容量

然而 QLC SSD 基本都配备了缓存,星即有缓存的情况下读写速度还不错,一旦缓存写满或者说直接对 QLC 闪存进行读写,那速度就会很惨了,有时候到 100~300MB/S (这已经算高的了,有些只有 100MB/S 以内,堪比机械盘),这就失去了 SSD 的优势。

不过毕竟 QLC SSD 价格也会便宜,另外由于密度大,三星可能会推出消费级的 8TB QLC M.2 固态硬盘。